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화합물 반도체 위에 페로브스카이트 적층…태양전지 효율 높여

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페로브스카이트-갈륨·비소 탠덤 구조 태양전지 모식도(한양대 제공)© 뉴스1
페로브스카이트-갈륨·비소 탠덤 구조 태양전지 모식도(한양대 제공)© 뉴스1

국내 연구진이 유연한 화합물 반도체 위에 가성비 좋은 페로브스카이트를 적층해 태양전지의 효율을 높였다.

한국연구재단(이사장 노정혜)은 한양대 박희준 교수, 아주대 이재진 교수 연구팀이 갈륨과 비소로 만든 화합물 반도체(GaAs) 위에 페로브스카이트 반도체를 적층한 고효율 복층구조 탠덤 태양전지를 구현했다고 19일 밝혔다.

연구팀은 저온 용액공정으로 손쉽게 제작할 수 있는 가성비 좋은 페로브스카이트 박막을 적층하는 방식으로 화합물 반도체 태양전지의 효용가치를 높이는 구조를 설계했다.

연구팀이 구현한 복층구조의 태양전지를 적용한 결과 갈륨-비소 태양전지의 성능을 15% 이상 끌어올릴 수 있었다.

두껍고 딱딱한 실리콘 반도체와 달리 화합물 반도체는 얇은 박막 형태로 빛을 흡수할 수 있어 경량화와 유연화에 유리하다. 때문에 자동차, 무인비행기, 웨어러블 기기 및 IoT 센서 등의 동력원으로 주목받는다.

기존에도 단파장 빛을 흡수하는 인듐-갈륨-인(InGaP) 태양전지를 갈륨-비소 화합물 태양전지 위에 적층해 효율을 높이려는 시도는 있었다.

하지만 인듐-갈륨-인 태양전지는 제작비용이 높고 복잡한 구조 때문에 오히려 발전단가를 상승시켰다.

과학기술정보통신부, 교육부, 한국연구재단이 추진하는 기초연구사업 (중견연구 및 기본연구 등) 등의 지원으로 수행된 이번 연구 성과는 국제학술지 ‘어드밴스드 에너지 머티리얼스(Advanced Energy Materials)’에 2019년 12월 19일 게재됐다.
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